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    No.10101151

勤務地 上海 または 日本(場所は候補者と相談可) 学歴 本科以上 語学  
税込み月収 0元 ~ 40000元 職種
仕事内容 デバイスの設計・開発、trench MOSFET(オン抵抗低減 電解効果トランジスターの一種)、SGT、過電流型MOSFET、LDMOS、IGBTを担当頂きます。

・業務内容は、プロセスモード、デバイスモード、レイアウト、デバイス特性、デバイス信頼性の認証も含みます。

・デバイス設計ルールを他チームに公開
応募要件 ・電子、物理、電子材料等の学科を卒業しており、6年以上のパワーデバイスの商品の設計または開発経験のある方
・TCADソフト(SilvacoのTaurusやSentaurus等)を使用できること
・英語OR中国語:コミュニケーション以上の方優先 できなくても検討可
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