転職支援サービスをはじめてご利用の方登録はこちら(無料)中国 求人案件情報 満載 メールマガジン登録 準備中
条件合う求人1 現在1ページ目 合計1ページ目 TOP 前へ 次へ 最後 飛び先 ページ
募集終了

    No.10101186

勤務地 上海 または 日本(場所は候補者と相談可) 学歴 本科以上 語学  
税込み月収 0元 ~ 40000元 職種
仕事内容 ●高性能アナログ・パワー半導体の技術開発と製品開発に注力しています。 主な用途は、消費電子、電源、自動車、産業、家電、エネルギー分野。
●募集背景:海外メーカーの独占を打破し、この分野での現地化を実現するために、このポジションを中心としたディスクリートデバイス製品開発チームを新たに立ち上げたいと考えており、7~10名のチームメンバーを作る計画です。(一部のチームメンバーは同時募集中)。この分野でのレベルの高いメンバーの立ち上げを目指しています。

●業務内容
1.trench MOSFET(低オン抵抗 電解効果トランジスターの一種)、SGT、過電流型MOSFET、LDMOS、IGBT等のデバイスの開発のリード。
2.製品開発エンジニアをまとめ、率先して、新製品の開発、製品開発プロセスの確立、パッケージやウェハファウンドリリソースの管理を行います。
3.製品開発プロセスに応じて、製品開発エンジニアへの指導を行います。
4.必要に応じてマーケティング部門やFAEと新製品の定義を行う。
5. 製品リリースプロセスをフォローし、構造化する
応募要件 ・電気工学、物理額、電子材料科学等の学科を卒業しており、15年以上のパワーデバイスの商品の設計または運用経験。
・TCADソフト(SilvacoのTaurusやSentaurus等)を使用できること
・MOSFET、IGBT商品の開発のために、製品定義、製品テスト、製品データ、製品分析、製品認証や、マーケティングの経験が豊富な方
・パワーディスクリートデバイスに詳しく、SJMOSとIGBTプロセス統合の豊富な経験が有る方

◆ターゲット企業◆
●ルネサス エレクトロニクス株式会社(Renesas Electronics Corporation)
●三菱電機株式会社
●富士電機株式会社(FUJI ELECTRIC CO., LTD.)
●ローム株式会社 ( ROHM Co., Ltd.)
条件合う求人1 現在1ページ目 合計1ページ目 TOP 前へ 次へ 最後 飛び先 ページ