応募要件 |
・電気工学、物理額、電子材料科学等の学科を卒業しており、15年以上のパワーデバイスの商品の設計または運用経験。 ・TCADソフト(SilvacoのTaurusやSentaurus等)を使用できること ・MOSFET、IGBT商品の開発のために、製品定義、製品テスト、製品データ、製品分析、製品認証や、マーケティングの経験が豊富な方 ・パワーディスクリートデバイスに詳しく、SJMOSとIGBTプロセス統合の豊富な経験が有る方
◆ターゲット企業◆ ●ルネサス エレクトロニクス株式会社(Renesas Electronics Corporation) ●三菱電機株式会社 ●富士電機株式会社(FUJI ELECTRIC CO., LTD.) ●ローム株式会社 ( ROHM Co., Ltd.)
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